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Référence fabricant

SI3134KW-TP

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH ENH FET 20VDS 12VGS

Point d'origine

China

Package/Boîte

SOT-323

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SI3134KW-TP
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH ENH FET 20VDS 12VGS
Point d'origine
China
Package/Boîte
SOT-323
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
20 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
750mA
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
380 mOhms à 650 mA, 4,5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
120 pF @ 16 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
1,8 V, 4,5 V
Vgs (Max)
±12V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
En vrac
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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