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Transistors BOM IC en stock 3-XDFN à pad exposé PBSS5260QAZ – Achetez en ligne des composants électroniques

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Caractéristiques

Référence fabricant

PBSS5260QAZ

Marque nom

Original

Description

TRANS PNP 60V 1.7A DFN1010D-3

Point d'origine

China

Package/Boîte

3-XDFN avec pad exposé

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
PBSS5260QAZ
Marque nom
Original
Description
TRANS PNP 60V 1.7A DFN1010D-3
Point d'origine
China
Package/Boîte
3-XDFN avec pad exposé
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Collecteur de courant (Ic) (Max)
1,7 A
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
60 V
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
400 mV à 50 mA, 1 A
Courant-coupure de collecteur (Max)
100 nA (ICBO)
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
30 à 1,7 A, 2 V
Puissance Max
325 mW
Transistor Type
PNP
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de transistor
PNP
Fréquence - Transition
150MHz

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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