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Transistors BOM IC en stock 6-WDFN à pad exposé AON2801 Acheter des composants électroniques en ligne

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Référence fabricant

AON2801

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2P-CH 20V 3A 6DFN

Point d'origine

China

Package/Boîte

6-WDFN avec pad exposé

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
AON2801
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2P-CH 20V 3A 6DFN
Point d'origine
China
Package/Boîte
6-WDFN avec pad exposé
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
1,5 W
FET Caractéristique
Porte de Niveau logique
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
20V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
3A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
120 mOhms à 3 A, 4,5 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6,5 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
700pF à 10V
Configuration
2 P-Channel (Dual)
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux P (double)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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