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Composants électroniques BOM IC en stock, transistors 8-PowerTDFN NTMFD4C88NT1G

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Référence fabricant

NTMFD4C88NT1G

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-PowerTDFN

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
NTMFD4C88NT1G
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2N-CH 30V 11.7A 8DFN
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-PowerTDFN
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
1,1 W
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
11,7 A, 14,2 A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
5,4 mOhms à 10 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,2 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22,2 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1252pF à 15V
Configuration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Vrac
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double) asymétrique

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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