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Composants électroniques BOM IC en stock Transistors 8-QFN DI035P02PT

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Caractéristiques

Référence fabricant

DI035P02PT

Marque nom

Original

Description

MOSFET POWERQFN 3X3 P -20V

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-QFN (3x3)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
DI035P02PT
Marque nom
Original
Description
MOSFET POWERQFN 3X3 P -20V
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-QFN (3x3)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
P-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
20 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
35A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
3,9 mOhms à 20 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1,2 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
6850 pF @ 10 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
2,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±12V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
En vrac
Type de FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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