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Composants électroniques BOM IC en stock, transistors 8-DFN GT025N06D5

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Référence fabricant

GT025N06D5

Marque nom

Original

Description

N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-DFN (4.9x5.75)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
GT025N06D5
Marque nom
Original
Description
N60V,RD(MAX)<2.7M@10V,RD(MAX)<3.
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-DFN (4.9x5.75)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
SGT
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
60 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
170A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
2,5&nbsp;mOhms à 20&nbsp;A, 10&nbsp;V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,5 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
5125 pF @ 30 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Ruban coupé (CT)
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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