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Marchés principaux: États-Unis d'Amérique, Corée du Sud, Inde, Argentine, Liban

Composant électronique : Transistors DirectFET Isométriques ME IRF7480MTRPBF en stock (BOM IC)

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1,08 €
100-3 099 pièce
0,5388 €
≥3 100 pièce

Quantité

Caractéristiques

Référence fabricant

IRF7480MTRPBF

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET

Point d'origine

China

Package/Boîte

DirectFET Isométrique ME

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IRF7480MTRPBF
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 40V 217A DIRECTFET
Point d'origine
China
Package/Boîte
DirectFET Isométrique ME
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
HEXFET, StrongIRFET
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
40 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
217A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
1,2 mOhm à 132 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3,9 V à 150 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
185 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
6680 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

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