BOM IC In Stock Transistors PG-TO263-7-12 IMBG120R026M2HXTMA1 Electronics Component
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Attributs
IMBG120R026M2HXTMA1Numéro de Type
Montage en SurfaceType de montage
ChinaPoint d'origine
OriginalMarque nom
FETs, MOSFETsApplication fonctionnelle
PG-TO263-7-12Package / Case
Description:SIC DISCRETE
Package:Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type:N-Channel
Technology:SiCFET (Silicon Carbide)
Caractéristiques du produit
Numéro de Type
IMBG120R026M2HXTMA1
Type de montage
Montage en Surface
Point d'origine
China
Marque nom
Original
Application fonctionnelle
FETs, MOSFETs
Package / Case
PG-TO263-7-12
Description
SIC DISCRETE
Package
Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT),Digi-Reel
FET Type
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
100 - 3 099 pièce
11,49 €
>= 3 100 pièce
5,75 €
Options
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IMBG120R026M2HXTMA1
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