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Composants électroniques BOM IC en stock, transistors PowerFlat HV STL8N65M2

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Référence fabricant

STL8N65M2

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV

Point d'origine

China

Package/Boîte

PowerFlat (5x6) HV

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
STL8N65M2
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 650V 5A PWRFLAT56 HV
Point d'origine
China
Package/Boîte
PowerFlat (5x6) HV
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
MDmesh M2
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
650 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
4A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
1,25 ohms à 2 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
270 pF @ 100 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±25V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Ruban découpé (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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