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Composants électroniques en stock : Transistors BOM IC SP1 APTM100DA18CT1G - Achetez en ligne

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Référence fabricant

APTM100DA18CT1G

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 1000V 40A SP1

Point d'origine

China

Package/Boîte

SP1

Température de fonctionnement

-40°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
APTM100DA18CT1G
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
Point d'origine
China
Package/Boîte
SP1
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Série
POWER MOS 8
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1000 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
40A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
216 mOhms à 33 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V à 2,5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
570 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
14800 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±30V
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
En vrac
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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