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Composants électroniques BOM IC en stock, transistors TO-252AA IRFR5505GTRPBF

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Référence fabricant

IRFR5505GTRPBF

Marque nom

Original

Description

MOSFET P-CH 55V 18A DPAK

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-252AA (DPAK)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IRFR5505GTRPBF
Marque nom
Original
Description
MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-252AA (DPAK)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
HEXFET
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
P-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
55 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
18A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
110 mOhms à 9,6 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
32 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
650 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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