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UNITE CHANCE CO., LIMITED
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Composants électroniques BOM IC en stock Transistors TO-262 IRFSL7530PBF

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100-3 099 pièce
0,371 €
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Quantité

Caractéristiques

Référence fabricant

IRFSL7530PBF

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 60V 195A TO262

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-262

Température de fonctionnement

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
IRFSL7530PBF
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 60V 195A TO262
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-262
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Série
HEXFET, StrongIRFET
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
60 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
195A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
2 mOhms à 100 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3,7 V à 250 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
411 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
13703 pF à 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
6V, 10V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tube
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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Description des produits par le fournisseur

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