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Composants électroniques BOM IC en stock, transistors TO-263 STB18N60DM2

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Référence fabricant

STB18N60DM2

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK

Point d'origine

China

Package/Boîte

TO-263 (D2PAK)

Température de fonctionnement

150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
STB18N60DM2
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Point d'origine
China
Package/Boîte
TO-263 (D2PAK)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Série
MDmesh DM2
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
600 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
12A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
295 mOhms à 6 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
800 pF @ 100 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
10V
Vgs (Max)
±25V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
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Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs