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Composants électroniques BOM IC en stock, transistors U-DFN2020-6 DMN3016LFDF-7-90

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Référence fabricant

DMN3016LFDF-7-90

Marque nom

Original

Description

MOSFET BVDSS : 25 V~30 V U-DFN2020-

Point d'origine

China

Package/Boîte

U-DFN2020-6 (Type F)

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
DMN3016LFDF-7-90
Marque nom
Original
Description
MOSFET BVDSS : 25 V~30 V U-DFN2020-
Point d'origine
China
Package/Boîte
U-DFN2020-6 (Type F)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
30 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
10A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
12 mOhms à 11 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
25,1 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1415 pF @ 15 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR)
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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