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Composants électroniques de mémoire BOM IC en stock W63AH6NBVADI 178 VFBGA

Note de la boutique :4.6
(3 avis)

Attributs

SDRAM - LPDDR3 mobileTechnologie
volatileType de mémoire
64M à 16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
1 GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré (CI)
Tension D'alimentation:1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:1,066 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:HSUL12

Caractéristiques du produit

Technologie
SDRAM - LPDDR3 mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
64M à 16
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
1 Gbit
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré (CI)
Tension D'alimentation
1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
1,066 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Interface mémoire
HSUL12

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
1 - 3 000 pièce
2,28 €
>= 3 001 pièce
1,15 €

Spécification

W63AH6NBAVI

Expédition

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