Liste de nomenclature (BOM) - Offre de prix - MOSFET GT150N12T 96W PD 120V VDSS 55A 1 canal N RDS sous 18mOhm 10V TO-220 -55°C à +150°C Faible bruit
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Attributs
MOSFETType
MOSFETApplication
MOSFETType de paquet
Type de montage standard, Type de montage standardType de montage
FET standardFET Caractéristique
Vérifier la fiche techniqueConfiguration
Référence fabricant:GT150N12T
Marque nom:Original Brand
Description:MOSFET GT150N12T
Point d'origine:China
Package/Boîte:À-220
Température de fonctionnement:-55 à +150 Celsius
Série:GT150 N12T
Code date de fabrication:Aléatoire ou Contact
Type de Fournisseur:Détaillant
Référence croisée:Référence croisée standard
Médias Disponibles:Fiche technique
Collecteur de courant (Ic) (Max):Norme IC
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.):Tension de claquage standard
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic:Saturation Vce standard
Courant-coupure de collecteur (Max):Courant de coupure standard du collecteur
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce:hFE standard
Puissance Max:Puissance standard
Fréquence-Transition:Fréquence standard
Résistance-socle (R1):Norme R1
Résistance-socle émetteur (R2):Norme R2
FET Type:FET standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss):Vdss standard
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:Identifiant standard
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:Rds standard activé
Vgs (th) (Max) @ Id:Vgs(th) standard
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:Qg standard
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:CISS standard
Fréquence:Fréquence standard
Courant nominal (ampères):Intensité nominale standard
Facteur de bruit:Faible niveau sonore
Alimentation-Sortie:Puissance de sortie standard
Tension Nominale:Tension nominale standard
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):Tension d'alimentation standard
Vgs (Max):Vgs standard
Type IGBT:IGBT standard
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:Vec standard activé
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce:Normes Cies
Entrée:Entrée standard
Thermistance NTC:NTC standard
Tension-panne (V (BR) GSS):Norme V(BR)GSS
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0):Idss standard
Vidange de courant (Id)-Max:Identifiant standard
Tension-coupure (VGS off) @ Id:VGS standard désactivé
Résistance-RDS (On):Résistance standard
Tension-Sortie:Tension standard
Tension-décalage (Vt):Vt standard
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao):Igao standard
Courant-vallée (Iv):Norme IV
Courant-Crête:Courant de crête standard
Transistor Type:Transistor standard
Caractéristiques du produit
Type
MOSFET
Application
MOSFET
Type de paquet
MOSFET
Type de montage
Type de montage standard, Type de montage standard
FET Caractéristique
FET standard
Configuration
Vérifier la fiche technique
Médias Disponibles
Fiche technique
Type de Fournisseur
Détaillant
Puissance Max
Puissance standard
Package/Boîte
À-220
Description
MOSFET GT150N12T
Référence fabricant
GT150N12T
Marque nom
Original Brand
Point d'origine
China
Température de fonctionnement
-55 à +150 Celsius
Série
GT150 N12T
Code date de fabrication
Aléatoire ou Contact
Référence croisée
Référence croisée standard
Collecteur de courant (Ic) (Max)
Norme IC
Tension de rupture collecteur-émetteur (max.)
Tension de claquage standard
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
Saturation Vce standard
Courant-coupure de collecteur (Max)
Courant de coupure standard du collecteur
Gain de courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce
hFE standard
Fréquence-Transition
Fréquence standard
Résistance-socle (R1)
Norme R1
Résistance-socle émetteur (R2)
Norme R2
FET Type
FET standard
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
Vdss standard
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
Identifiant standard
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
Rds standard activé
Vgs (th) (Max) @ Id
Vgs(th) standard
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
Qg standard
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
CISS standard
Fréquence
Fréquence standard
Courant nominal (ampères)
Intensité nominale standard
Facteur de bruit
Faible niveau sonore
Alimentation-Sortie
Puissance de sortie standard
Tension Nominale
Tension nominale standard
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
Tension d'alimentation standard
Vgs (Max)
Vgs standard
Type IGBT
IGBT standard
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
Vec standard activé
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
Normes Cies
Entrée
Entrée standard
Thermistance NTC
NTC standard
Tension-panne (V (BR) GSS)
Norme V(BR)GSS
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
Idss standard
Vidange de courant (Id)-Max
Identifiant standard
Tension-coupure (VGS off) @ Id
VGS standard désactivé
Résistance-RDS (On)
Résistance standard
Tension-Sortie
Tension standard
Tension-décalage (Vt)
Vt standard
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
Igao standard
Courant-vallée (Iv)
Norme IV
Courant-Crête
Courant de crête standard
Transistor Type
Transistor standard
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
3X2X1 cm
unique poids brut
0.006 kg
Délai de préparation de la commande
Options de personnalisation
Logo personnalisé(+ à partir de /Commande minimale : 10 000 pièces)
Emballage personnalisé(+ à partir de /Commande minimale : 10 000 pièces)
Personnalisation graphique(+ à partir de /Commande minimale : 10 000 pièces)
Afficher les détails
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
10 - 499 pièce
0,2875 €
500 - 999 pièce
0,1742 €
≥ 1 000 pièce
0,1568 €
Options
SélectionnerSpecification
GT150 N12T
Personnalisation
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Emballage personnalisé (Quantité min. : 10 000 pièces)
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