Composant électronique de mémoire BQ2024DBZR TO 236 3, SC 59, SOT 23 3 en stock
Composant électronique de mémoire BQ2024DBZR TO 236 3, SC 59, SOT 23 3 en stockAucun avis pour l'instant
Attributs
EPROM-OTPTechnologie
Non volatileType de mémoire
32 octets x 6 pagesOrganisation de la mémoire
Composant et pièceType
1,5 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT), en vrac
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants électroniques en ligne
Tension D'alimentation:2,65 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Fil unique
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