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Transistor de puissance BSC020N03LS G, TDSON-8, montage en surface SMD, MOSFETs à commutation rapide, canal N, 30V, 100A, TDSON-8, OptiMOS 3

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Référence fabricant

BSC020N03LS G

Type

Transistor bipolaire

Type de paquet

Montage en Surface

Description

MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3

Point d'origine

Other

Package/Boîte

TDSON-8

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
BSC020N03LS G
Type
Transistor bipolaire
Type de paquet
Montage en Surface
Description
MOSFETs N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3
Point d'origine
original
Package/Boîte
TDSON-8
Température de fonctionnement
-55℃, +150℃
Série
OptiMOS 3
Code date de fabrication
2026+
Application
Assemblage de PCB
Médias Disponibles
Fiche technique
Saturation Vce (Max) @ Ib, Ic
100 A
Courant-coupure de collecteur (Max)
20 V
FET Caractéristique
Non applicable
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
standard
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
standard
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
standard
Vgs (th) (Max) @ Id
standard
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
standard
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
standard
Fréquence
standard
Courant nominal (ampères)
standard
Facteur de bruit
standard
Alimentation-Sortie
standard
Tension Nominale
standard
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
standard
Vgs (Max)
standard
Type IGBT
standard
Configuration
Non applicable
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic
standard
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce
standard
Entrée
standard
Thermistance NTC
standard
Tension-panne (V (BR) GSS)
standard
Courant-vidange (Idss) @ Vds (Vgs = 0)
standard
Vidange de courant (Id)-Max
standard
Tension-coupure (VGS off) @ Id
standard
Résistance-RDS (On)
standard
Tension-Sortie
standard
Tension-décalage (Vt)
standard
Courant-porte à la fuite d'anode (Igao)
standard
Courant-vallée (Iv)
standard
Courant-Crête
standard
Type de montage
Montage en Surface

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul volume
0 cm³
unique poids brut
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