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Module de transistors BSM400C12P3G202, composants électroniques, puces originales

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507,35 €
100-3 099 pièce
253,69 €
≥3 100 pièce

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Caractéristiques

Référence fabricant

BSM400C12P3G202

Marque nom

Original

Description

MODULE SICFET N-CH 1200V 400A

Point d'origine

China

Package/Boîte

Module

Température de fonctionnement

175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
BSM400C12P3G202
Marque nom
Original
Description
MODULE SICFET N-CH 1200V 400A
Point d'origine
China
Package/Boîte
Module
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
400A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
-
Vgs (th) (Max) @ Id
5,6 V à 106,8 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
17 000 pF à 10 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
-
Vgs (Max)
+22V, -4V
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
Plateau
Type de FET
Canal N
Technologie
SiCFET (carbure de silicium)

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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