Transistor MOSFET canal P BSR316PL6327HTSA1 100 V 360 mA (Ta) 500 mW (Ta) SMD PG-SC59-3 BSR316PL6327HTSA1
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Attributs
STANDARDType
STANDARDApplication
STANDARDType de paquet
Montage en SurfaceType de montage
STANDARDMédias Disponibles
500 mW (à)Puissance Max
Package/Boîte:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Description:STANDARD
Référence fabricant:BSR316PL6327HTSA1
Marque nom:Shenzhen Leixinrui Electronics Co., Ltd.
Point d'origine:Guangdong, China
Code date de fabrication:STANDARD
FET Type:Canal P
Vidange à la tension de la Source (Vdss):100 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c:360 mA (à)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs:1,8 ohms à 360 mA, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id:1 V à 170 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs:7 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds:165 pF à 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé):4,5 V, 10 V
Vgs (Max):±20 V
Caractéristiques du produit
Type
STANDARD
Application
STANDARD
Type de paquet
STANDARD
Type de montage
Montage en Surface
Médias Disponibles
STANDARD
Puissance Max
500 mW (à)
Package/Boîte
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Description
STANDARD
Référence fabricant
BSR316PL6327HTSA1
Marque nom
Shenzhen Leixinrui Electronics Co., Ltd.
Point d'origine
Guangdong, China
Code date de fabrication
STANDARD
FET Type
Canal P
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
360 mA (à)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
1,8 ohms à 360 mA, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
1 V à 170 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
165 pF à 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20 V
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BSR316PL6327HTSA
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