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BY25Q80BSMIG(R) 8 UFDFN Exposed Pad Memory Acheter en ligne Composants électroniques Distributeur agréé

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Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

BY25Q80BSMIG(R)

Type de montage

Montage en surface

Taille de La mémoire

8Mbit

Point d'origine

China

Description

Mémoire flash IC 8Mbit SPI/QUAD 8-USON

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original
Référence fabricant
BY25Q80BSMIG(R)
Type de montage
Montage en surface
Taille de La mémoire
8Mbit
Point d'origine
China
Description
Mémoire flash IC 8Mbit SPI/QUAD 8-USON
Type de conditionnement
Tape & Reel (TR), Ruban découpé (CT)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Package/Boîte
8-UFDFN avec pad exposé
Série
-
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NOR
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
108 MHz
Organisation de la mémoire
1M x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
50µs, 2,4 ms
Interface mémoire
SPI - Quad I/O, QPI
Format de mémoire
FLASH

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
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0.100 kg

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