Acheter des composants électroniques en ligne 200 WFBGA MT53D512M16D1DS-046 AIT:D TR Mémoire Fabricant Canal
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5Chips Tech Limited
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Attributs
SDRAM - LPDDR4 mobileTechnologie
volatileType de mémoire
512 millions x 16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
8 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuits intégrés
Tension D'alimentation:1,1 V
Fréquence de l'horloge:2,133 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:-
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR4 mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
512 millions x 16
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés
Fréquence de l'horloge
2,133 GHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
8 Go
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Tension D'alimentation
1,1 V
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Interface mémoire
-
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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MT53D512M16D1DS 046 AIT : D TR
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