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Attributs
Composant et pièceType
32 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Circuit intégréCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:Cbram
Tension D'alimentation:1,65 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:1 MHz
Organisation de la mémoire:4K par 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:100 µs, 2,5 ms
Interface mémoire:I2C
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
32 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
Cbram
Tension D'alimentation
1,65 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
1 MHz
Organisation de la mémoire
4K par 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
100 µs, 2,5 ms
Interface mémoire
I2C
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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Easy return
100 - 3 099 pièce
0,565 €
>= 3 100 pièce
0,2825 €
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RM24C32DS LSNI T
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