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Acheter des composants électroniques en ligne 8 UDFN MT29F1G01ABAFDWB-IT:F Mémoire Distributeur agréé

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Attributs

FLASH - NANDTechnologie
Non volatileType de mémoire
1Gx1Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
1 GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré de puces IC
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:PI

Caractéristiques du produit

Technologie
FLASH - NAND
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
1Gx1
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
1 Gbit
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puces IC
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
PI

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
Easy return
1 - 3 000 pièce
1,39 €
>= 3 001 pièce
0,6933 €

Spécification

MT29F1G01ABAFDWB informatique : F

Expédition

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