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Acheter des composants électroniques en ligne 8 VDFN Exposed Pad EM128LXQADG13IS1R Mémoire BOM IC En stock

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Attributs

Composant et pièceType
128 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Circuits intégrés électroniquesCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation:1,65 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:133 MHz
Organisation de la mémoire:16Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:SPI - Quad E/S

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
128 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés électroniques
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation
1,65 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge
133 MHz
Organisation de la mémoire
16Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
SPI - Quad E/S

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
2 000 - 4 999 pièce
78,32 €
>= 5 000 pièce
39,16 €

Spécification

EM128LXQADG13IS1R :

Expédition

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