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Attributs
FLASH - NON (SLC)Technologie
Non volatileType de mémoire
128 millions x 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
1 GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré
Tension D'alimentation:2,3 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:166 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:70 µs, 2 ms
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, QPI, DTR
Caractéristiques du produit
Technologie
FLASH - NON (SLC)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
128 millions x 8
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Fréquence de l'horloge
166 MHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
1 Gbit
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
70 µs, 2 ms
Tension D'alimentation
2,3 V ~ 3,6 V
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Interface mémoire
SPI - Quad E/S, QPI, DTR
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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