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Acheter des composants électroniques en ligne 8 WDFN Exposed Pad S3A1604V0M-JI1AT Mémoire BOM IC En stock

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Attributs

Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
16 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Ruban coupé (CT)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composant électronique Bom Service
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:108 MHz
Organisation de la mémoire:4Mx4
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:SPI - Quad E/S

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
16 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Ruban coupé (CT)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique Bom Service
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
108 MHz
Organisation de la mémoire
4Mx4
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
SPI - Quad E/S

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
1 - 3000 pièce
4,80 €
>= 3001 pièce
2,40 €

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