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Attributs
SDRAM - MobileTechnologie
volatileType de mémoire
4M x 32Organisation de la mémoire
Montage en surfaceType de montage
IS42SM32400G-75BIRéférence fabricant
OriginalMarque nom
Taille de La mémoire:128Mbit
Point d'origine:China
Description:IC DRAM 128Mbit PAR 90TFBGA
Type de conditionnement:Plateau
Température de fonctionnement:-40°C ~ 85°C (TA)
Package/Boîte:90-TFBGA
Série:-
Tension D'alimentation:3V ~ 3.6V
Fréquence de l'horloge:133 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Format de mémoire:DRAM
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - Mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
4M x 32
Type de montage
Montage en surface
Référence fabricant
IS42SM32400G-75BI
Marque nom
Original
Taille de La mémoire
128Mbit
Point d'origine
China
Description
IC DRAM 128Mbit PAR 90TFBGA
Type de conditionnement
Plateau
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Package/Boîte
90-TFBGA
Série
-
Tension D'alimentation
3V ~ 3.6V
Fréquence de l'horloge
133 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Format de mémoire
DRAM
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
100 - 3 099 pièce
0,6634 €
>= 3 100 pièce
0,336 €
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