Acheter des composants électroniques en ligne BY25D16ASMIG(R) 8 UFDFN Mémoire à contacts apparents Distributeur agréé
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Attributs
Composant et pièceType
16 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Circuits intégrésCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:108 MHz
Organisation de la mémoire:2Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:2,4 ms
Interface mémoire:SPI - Double E/S
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
16 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NON
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
108 MHz
Organisation de la mémoire
2Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
2,4 ms
Interface mémoire
SPI - Double E/S
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
30 000 - 32 999 pièce
0,0809 €
>= 33 000 pièce
0,0426 €
Options
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PAR25D16ASMIG(R)
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