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DMT10H017LPD-13

Marque nom

Original

Description

MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50

Point d'origine

China

Package/Boîte

8-PowerTDFN

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
DMT10H017LPD-13
Marque nom
Original
Description
MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
Point d'origine
China
Package/Boîte
8-PowerTDFN
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
2,2 W (Ta), 78 W (Tc)
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
100V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
54,7 A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
17,4 mOhms à 17 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
28,6 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1986pF à 50V
Configuration
2 N-Channel (Dual)
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)
Configuration
2 canaux N (double)

Emballage et livraison

vente Unités
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1X1X1 cm
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