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Achetez des composants électroniques en ligne : Mémoire GD25T512MEYIGR 8 WDFN à pad exposé – Distributeur agréé

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Code de date de fabrication

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

GD25T512MEYIGR

Type de montage

Montage en surface

Taille de La mémoire

512Mbit

Point d'origine

China

Description

IC FLASH 512Mbit SPI/QUAD 8WSON

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original
Référence fabricant
GD25T512MEYIGR
Type de montage
Montage en surface
Taille de La mémoire
512Mbit
Point d'origine
China
Description
IC FLASH 512Mbit SPI/QUAD 8WSON
Type de conditionnement
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 85°C (TA)
Package/Boîte
8-WDFN avec pad exposé
Série
GD25T
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NOR (SLC)
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
200 MHz
Organisation de la mémoire
64M x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
SPI - Quad I/O, DTR
Format de mémoire
FLASH

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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