





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
16 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FRAM (RAM ferroélectrique)
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:1 MHz
Organisation de la mémoire:2K par 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:I2C














