Achetez des composants électroniques en ligne MT53D384M32D2DS-053 WT:C TR 200 WFBGA Mémoire Original Service complet
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Attributs
SDRAM - LPDDR4 mobileTechnologie
volatileType de mémoire
384 million x 32Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
12 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants électroniques IC
Tension D'alimentation:1,1 V
Fréquence de l'horloge:1,866 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:-

5Chips Tech Limited
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Marchés principaux: Kazakhstan, Hong Kong (RAS), Danemark, États-Unis d'Amérique, Australie
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR4 mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
384 million x 32
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques IC
Fréquence de l'horloge
1,866 GHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
12 Go
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Tension D'alimentation
1,1 V
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Interface mémoire
-
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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MT53D384M32D2DS 053 WT : C TR
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