Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
512 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré de puces IC
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON (SLC)
Tension D'alimentation:1,65 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:250 MHz
Organisation de la mémoire:64M x 8, 512M x 1
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:60 µs, 750 µs
Interface mémoire:SPI - E/S octales, DTR
