Acheter des composants électroniques en ligne Mémoire 119 BGA CY7C1355C-100BGC Canal du fabricant
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Attributs
Composant et pièceType
9 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Circuit intégréCaractéristiques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM - Synchrone, SDR
Tension D'alimentation:3,135 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:100 MHz
Organisation de la mémoire:256Kx36
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
9 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Type de mémoire
volatile
Technologie
SRAM - Synchrone, SDR
Tension D'alimentation
3,135 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
100 MHz
Organisation de la mémoire
256Kx36
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
28 - 3 027 pièce
4,68 €
>= 3 028 pièce
2,34 €
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CY7C1355C100BGC
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