Achetez des composants électroniques en ligne Mémoire 119 BGA CY7C1062AV33-10BGIT Original Service complet
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Attributs
SRAM - AsynchroneTechnologie
volatileType de mémoire
512Kx32Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
16 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuits intégrés électroniques
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:10 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM - Asynchrone
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
512Kx32
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
16 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés électroniques
Tension D'alimentation
3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
10 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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CY7C1062AV33 10BGIT
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