Acheter des composants électroniques en ligne Mémoire 134 WFBGA EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR Original
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Attributs
SDRAM - LPDDR2 mobileTechnologie
volatileType de mémoire
128 millions x 32Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4GbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique Bom Service
Tension D'alimentation:1,14 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:533 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR2 mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
128 millions x 32
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4Gbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique Bom Service
Tension D'alimentation
1,14 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
533 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
1 000 - 3 999 pièce
3,60 €
>= 4 000 pièce
1,80 €
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EDB4432BBBJ 1DAIT FR TR
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