Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
4GbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré de puces IC
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM - LPDDR4 mobile
Tension D'alimentation:1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:1,2 GHz
Organisation de la mémoire:128 millions x 32
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:18 ans
Interface mémoire:LVSTL
