Achetez des composants électroniques en ligne Mémoire 44 SOlC M29F800FT55M3E2 Original Service complet
Note de la boutique :5.0
(1 avis)
Attributs
FLASH - NONTechnologie
Non volatileType de mémoire
1 million x 8, 512 000 x 16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
8 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:55 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
FLASH - NON
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
1 million x 8, 512 000 x 16
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Fréquence de l'horloge
-
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
8 mégabits
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
55 secondes
Tension D'alimentation
4,5 V ~ 5,5 V
Type de conditionnement
Plateau
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
100 - 3 099 pièce
0,4817 €
>= 3 100 pièce
0,2409 €
Options
SélectionnerSpécification
M29F800FT55M3E2 :
Expédition
Frais de livraison et date de livraison à négocier. Contactez le fournisseur dès maintenant pour plus d’informations.
Payez en 4X sans frais avec
Protection des commandes Alibaba.com
Paiements sécurisés
Chaque paiement que vous effectuez sur Alibaba.com est sécurisé par un cryptage SSL strict et des protocoles de protection des données PCI DSS.
Retour facile
Effectuez des retours locaux gratuits pour les défauts sur les achats éligibles
Protection de remboursement
Demandez un remboursement si votre commande n'est pas expédiée, est introuvable ou arrive avec des problèmes liés au produit
Seules les commandes passées et payées via Alibaba.com sont protégées gratuitement par
