Acheter des composants électroniques en ligne Mémoire 66 TSSOP IS43R83200B-5TL-TR BOM IC En stock
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Attributs
SDRAM-DDDRTechnologie
volatileType de mémoire
32Mx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
256 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Kit de composants électroniques
Tension D'alimentation:2,3 V ~ 2,7 V
Fréquence de l'horloge:200 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM-DDDR
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
32Mx8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
256 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Kit de composants électroniques
Tension D'alimentation
2,3 V ~ 2,7 V
Fréquence de l'horloge
200 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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2,13 €
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IS43R83200B 5TL TR
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