Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
256 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré de puces IC
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM - Double port, asynchrone
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:32 000 x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:12 secondes
Interface mémoire:Parallèle
