Acheter des composants électroniques en ligne Mémoire 84 TFBGA MT47H64M16HR-25E:H TR BOM IC En stock
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Attributs
SDRAM-DDDR2Technologie
volatileType de mémoire
64M à 16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
1 GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Kit de composants électroniques
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge:400 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM-DDDR2
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
64M à 16
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
1 Gbit
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Kit de composants électroniques
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge
400 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
100 - 3 099 pièce
0,5116 €
>= 3 100 pièce
0,2558 €
Options
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MT47H64M16HR 25E : H TR
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