All categories
Featured selections
Trade Assurance
Buyer Central
Help Center
Get the app
Become a supplier

Acheter des composants électroniques en ligne Mémoire 8 VDFN Exposed Pad M10082040108X0PWAY Original

Aucun avis pour l'instant

Attributs

MRAM (RAM magnétronrésistif)Technologie
Non volatileType de mémoire
2Mx4Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
8 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuits intégrés
Tension D'alimentation:1,71 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:108 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:PI

Caractéristiques du produit

Technologie
MRAM (RAM magnétronrésistif)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
2Mx4
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
8 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés
Tension D'alimentation
1,71 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge
108 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
PI

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
225 - 3 224 pièce
9,36 €
>= 3 225 pièce
4,68 €

Spécification

M10082040108X0VOIE

Expédition

Frais de livraison et date de livraison à négocier. Contactez le fournisseur dès maintenant pour plus d’informations.

Protection des commandes Alibaba.com

Paiements sécurisés

Chaque paiement que vous effectuez sur Alibaba.com est sécurisé par un cryptage SSL strict et des protocoles de protection des données PCI DSS.

Retour facile

Effectuez des retours locaux gratuits pour les défauts sur les achats éligibles

Protection de remboursement

Demandez un remboursement si votre commande n'est pas expédiée, est introuvable ou arrive avec des problèmes liés au produit