Achetez des composants électroniques en ligne Mémoire 8 WDFN Exposed Pad GD5F2GM7REWIGY Original Service complet
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Attributs
FLASH - NAND (SLC)Technologie
Non volatileType de mémoire
512 millions x 4Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
2 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Accessoires de composants électroniques
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:104 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:600 micros
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, DTR
Caractéristiques du produit
Technologie
FLASH - NAND (SLC)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
512 millions x 4
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Accessoires de composants électroniques
Fréquence de l'horloge
104 MHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
2 Go
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
600 micros
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 2 V
Type de conditionnement
Plateau
Interface mémoire
SPI - Quad E/S, DTR
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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Description des produits par le fournisseur
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