Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
4 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Kit de circuits intégrés
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:EEPROM
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:3 MHz
Organisation de la mémoire:512 x 8, 256 x 16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:2 mètres
Interface mémoire:Microfil
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:1X1X1 cm
unique poids brut:0.100 kg
