Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
4 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants électroniques IC
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation:1,71 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:108 MHz
Organisation de la mémoire:1M4
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:PI
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:1X1X1 cm
unique poids brut:0.100 kg
