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A1F25M12W2-F1

Marque nom

Original

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MOSFET 4N-CH 1200V 50A ACEPACK1

Point d'origine

China

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Température de fonctionnement

175°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
A1F25M12W2-F1
Marque nom
Original
Description
MOSFET 4N-CH 1200V 50A ACEPACK1
Point d'origine
China
Package/Boîte
Module
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Série
-
Code date de fabrication
NEUF
Puissance Max
-
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
1200V (1.2kV)
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
50A
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
34 mOhms à 50 A, 18 V
Vgs (th) (Max) @ Id
4,9 V à 5 mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
147nC @ 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
3500pF à 800V
Configuration
4 N-Channel
Type de montage
Châssis Mount
Emballage
Plateau
Technologie
Carbure de silicium (SiC)
Configuration
4 canaux N

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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