





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
512 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants électroniques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON (MLC)
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:52 MHz
Organisation de la mémoire:32Mx16
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Fonds canadien d'investissement














