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BSS606NH6327XTSA1

Marque nom

Original

Description

MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89

Point d'origine

China

Package/Boîte

PG-SOT89

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
BSS606NH6327XTSA1
Marque nom
Original
Description
MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
Point d'origine
China
Package/Boîte
PG-SOT89
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
OptiMOS
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
60 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
3,2 A (Ta)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
60 mOhms à 3,2 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
2,3 V à 15 µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5,6 nC @ 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
657 pF @ 25 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

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vente Unités
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