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SIR184LDP-T1-RE3

Marque nom

Original

Description

MOSFET de puissance N-canal 60 V (D-S)

Point d'origine

China

Package/Boîte

PowerPAK SO-8

Température de fonctionnement

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Caractéristiques du produit

Référence fabricant
SIR184LDP-T1-RE3
Marque nom
Original
Description
MOSFET de puissance N-canal 60 V (D-S)
Point d'origine
China
Package/Boîte
PowerPAK SO-8
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Série
TrenchFET
Code date de fabrication
NEUF
FET Type
N-Channel
FET Caractéristique
-
Vidange à la tension de la Source (Vdss)
60 V
Courant-Drain continu (Id) à 25 ° c
21.5A (Ta), 73A (Tc)
Rds sur (Max) @ Id, Vgs
5,4 mOhms à 10 A, 10 V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
41 nC @ 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds
1950 pF à 30 V
Tension d'entraînement (Rds maximum allumé, Rds minimum allumé)
4,5 V, 10 V
Vgs (Max)
±20V
Type de montage
Montage en Surface
Emballage
Tape & Reel (TR), Cut Tape (CT), Digi-Reel
Type de FET
Canal N
Technologie
MOSFET (oxyde métallique)

Emballage et livraison

vente Unités
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1X1X1 cm
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